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技术指标
分辨率 二次电子 (SE) 成像 高真空模式： 30kV 时 1.0 nm；1kV 时 3.0 nm 低真空模式： 30kV 时 1.4 nm；3kV 时 3.0 nm 环境真空模式 (ESEM)：30kV 时 1.4nm 背散射电子 (BSE) 成像 高真空模式： 30kV 时 2.5 nm 放大倍数 高真空模式下：14x – 1,000,000x 放大倍数误差：≤ 3% 加速电压 200 V - 30 kV
功能描述
Elphy plus 图形发生器： 直写速度（12MHz），最小停留时间为84ns，最小停留时间增量为1ns 写场可在 0.5um x 0.5um ~ 2mm x 2mm 之间任意设定，写场分辨率为16bit。最小步距增量为 0.1 nm。
应用范围
100nm以上图形的微纳加工
收费方式